دوره 9، شماره 2 - ( 3-1388 )
جلد 9 شماره 2 صفحات 402-395 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Investigation of effective parameters on dark currents of infrared InSb detector. Journal title 2010; 9 (2) :395-402
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1339-fa.html
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1339-fa.html
بررسی عوامل مؤثر در جریان تاریک آشکارساز دیودیمادون قرمز InSb. عنوان نشریه. 1388; 9 (2) :395-402
چکیده: (4158 مشاهده)
این مقاله گزارشی از محاسبه و اندازه‌گیری جریان‌های نشتی فتودیود InSb از نوع p+-n ساخته شده به روش Mesa است. محاسبات و اندازه‌گیری جریان‌های مختلف نشتی مؤثر در دیود InSb همراه با تغییرات آن با توجه به بایاس اعمالی نشان می‌‌دهند که در بایاس‌های معکوس نسبتاً کم (تا حدودmV 300) جریان‌های G-R و شنت غالب هستند. اما در ولتاژهای معکوس بالاتر، جریان تونل‌زنی غالب می‌‌شود. در این مقاله رابطه پارامترهای قطعه با میزان جریان نشتی بررسی شده است و با ساخت یک دیود p+-n با کیفیت بالا، به بررسی موارد فوق پرداخته شده است.
نوع مطالعه: علمی پژوهشی بنیادی |
انتشار: 1389/7/23
انتشار: 1389/7/23
| بازنشر اطلاعات | |
 | این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
