دوره 18، شماره 55 - ( شماره 1-صفحات فارسی از 1 تا 67 1381 )
جلد 18 شماره 55 صفحات 9-1 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Comparison of the Electrical Properties of ClAlPc and CuPc thin film Planar Devices. Journal title 2001; 18 (55) :1-9
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html
URL: http://jsci.khu.ac.ir/article-1-1105-fa.html
مقایسه خواص الکتریکی لایه های نازکCIAIP و Cupc. عنوان نشریه. 1381; 18 (55) :1-9
چکیده: (3640 مشاهده)
در این کار تحقیقاتی مواد آلی CL.AIPC وCuPc که هر دو از نیمه هادیهای نوع p می باشند. با استفاده از روش تبخیر و به کارگیری کوره درجه حرارت سه مرحله ای، تهیه و خالص سازی شده است. خواص الکتریکی مواد ذکر شده در درجه حرارتهای 300 تا k380 مورد بررسی قرار می گیرد و با به کارگیری گاف انرژی CIAPc وCuPc اندازه گیری شده و با یکدیگر مقایسه می شود. در این تحقیق مشخص شده است که CIAPc دارای گاف انرژی کوچکتری در مقایسه با CuPc می باشد. در درجه حرارتهای بالا محاسبه گاف انرژی با اعمال Biass سیستم و معکوس عدد یکسانی را نشان می دهد در صورتیکه در درجه حرارتهای پائین تغییر بسیار جزئی در گاف انرژی مشاهده شده است.
انتشار: 1380/3/25
| بازنشر اطلاعات | |
 | این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
