fa بررسی عوامل مؤثر در جریان تاریک آشکارساز دیودیمادون قرمز InSb علمی پژوهشی بنیادی S این مقاله گزارشی از محاسبه و اندازه‌گیری جریان‌های نشتی فتودیود InSb از نوع p+-n ساخته شده به روش Mesa است. محاسبات و اندازه‌گیری جریان‌های مختلف نشتی مؤثر در دیود InSb همراه با تغییرات آن با توجه به بایاس اعمالی نشان می‌‌دهند که در بایاس‌های معکوس نسبتاً کم (تا حدودmV 300) جریان‌های G-R و شنت غالب هستند. اما در ولتاژهای معکوس بالاتر، جریان تونل‌زنی غالب می‌‌شود. در این مقاله رابطه پارامترهای قطعه با میزان جریان نشتی بررسی شده است و با ساخت یک دیود p+-n با کیفیت بالا، به بررسی موارد فوق پرداخته شده است. This article is a report of calculation and measurements of a p+-n InSb photo-diode leakage current fabricated by mesa on the basis of the calculation and measurement of different leakage currents in InSb photo-diode along with its variation it shows that at relatively low reverse biases (up to about 300 mV) G-R and shunt current are dominant. But at high reverse biases the tunneling current dominates. In this article we investigate the relation between device parameters and rate of leakage currents and investigated this relation by fabricating high quality p+-n diode 395 402 http://jsci.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-3-125&slc_lang=fa&sid=1