fa بررسی عمل‌کرد آشکارساز نیم ‌عایق گالیوم آرسناید(GaAs) برای آشکارسازی ذرات آلفا در این مقاله، نتایج حاصل از عمل‌کرد یک آشکارساز سد پتانسیل سطحی با زیرلایه نیمه‌عایق که در دمای اتاق و خلأ 4-10تحت تابش ذرات آلفا با انرژی 48/5 از چشمه 241 قرار گرفته است، مورد بررسی قرار می‌گیرد. قدرت تفکیک انرژی آشکارسازهای با قطر تماس شاتکی 2 و 3 میلی‌متر بررسی و با هم مقایسه می‌شوند. اثر تغییرات ولتاژ بر قدرت تفکیک‌پذیری آشکارسازها بررسی شده است. In this research work, alpha particle detector is made using semi-insulating GaAs. A surface barrier detector with a semi-insulating GaAs substrate at room temperature with pressure of 10-4 Torr under -particle radiation with 5.48 Mev of Am241 source, have been under investigation. Energy resolution of 2 and 3 mm schottky diameter have been matured and compared with the effect of voltage variation barrier detector , energy resolution , GaAs , barrier detector , energy resolution , GaAs , 827 834 http://jsci.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-3-202&slc_lang=fa&sid=1