<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Journal title</title>
<title_fa>عنوان نشریه</title_fa>
<short_title>Quarterly Journal of Science  Kharazmi University</short_title>
<subject>Literature &amp; Humanities</subject>
<web_url>http://jsci.khu.ac.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn></journal_id_issn>
<journal_id_issn_online></journal_id_issn_online>
<journal_id_pii></journal_id_pii>
<journal_id_doi>doi</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid></journal_id_sid>
<journal_id_nlai></journal_id_nlai>
<journal_id_science></journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1385</year>
	<month>8</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2006</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>18</volume>
<number>49</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>ساخت حس‌گر گازی از سیلیسیم متخلخل و بررسی حساسیت آن نسبت به گاز</title_fa>
	<title>Porous Silicon as oxygen sensor</title>
	<subject_fa></subject_fa>
	<subject></subject>
	<content_type_fa></content_type_fa>
	<content_type></content_type>
	<abstract_fa>در این مقاله نمونه‌های مختلفی از سیلیسیم نوع p به روش آنودی‌سازی الکتروشیمیایی در محلول اسید فلوریدریک (HF) متخلخل شد. معلوم گردید که بسته به مقدار غلظت HF چگالی جریان آنودی سازی و زمان سونش میزان متخلخل برروی سیلیسیم متفاوت بود. سپس یک اتصال اهمی آلومینیوم بر روی یک طرف سیلیسیم نوع p (طرف غیرمتخلخل) و یک اتصال از طلا بر روی طرف متخلخل آن ساخته شد. این نمونه‌ها به عنوان یک حس‌گر مورد استفاده قرار گرفت. برای مشخصهI-V نمونه‌های مختلف رسم شد. نتایج تجربی مبین آن است که مشخصهI-V کاملاً به جریان اکسیژن حساس است. به همین سبب از این خاصیت می‌توان برای ساخت حس‌گر گازی استفاده کرد.</abstract_fa>
	<abstract>In this research work, porous silicon is made by using chemical method. Depending upon H.F density, the amount of porosity of silicon will change. Then an ohmic aluminium contact and gold contact on the porous side of silicon is made. I-V characteristics were plotted for different devices. Experimental results show that these devices are very sensitive with oxygen, so we can use these devices as oxygen sensor.</abstract>
	<keyword_fa>آنودی سازی الکتروشیمیایی , سیلیسیم متخلخل , حس‌گر گازی ,</keyword_fa>
	<keyword>آنودی سازی الکتروشیمیایی , سیلیسیم متخلخل , حس‌گر گازی ,</keyword>
	<start_page>471</start_page>
	<end_page>479</end_page>
	<web_url>http://jsci.khu.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-3-195&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
