دوره ۹، شماره ۲ - ( ۳-۱۳۸۸ )
چکیده
در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های ۱۰۲ تا ۱۰۵ هرتز و درفاصله دمایی ۳۰۰ تا۴۲۰ درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.
حسن ربانی، آزاده مظلوم شهرکی،
دوره ۱۲، شماره ۴ - ( ۱۱-۱۳۹۱ )
چکیده
در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک‌نواخت به اتمهای دو جای‌گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می‌پردازیم. محاسبات به‌کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام میشود. بررسی منحنیهای رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می‌دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی‌که در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده میشود که مقدار آن به اندازۀ نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسۀ نتایج به‌دست آمده با پژوهش‌های قبلی، میتوان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیداً به‌نحوۀ اتصال الکترودها و کیفیت اتصالها وابسته است.
