دوره ۹، شماره ۲ - ( ۳-۱۳۸۸ )
چکیده
در این پژوهش اندازه‌گیری‌هایac بر روی لایه‌های نازک فتالوسیانین مسCuPc با الکترود‌های آلمینیومی در محدوده ی فرکانس‌های ۱۰۲ تا ۱۰۵ هرتز و درفاصله دمایی ۳۰۰ تا۴۲۰ درجه کلوین بررسی شده است. مقدار ظرفیت وعامل اتلاف با افزایش فرکانس کاهش می‌یابند و ظرفیت با افزایش دما افزایش پیدا می‌کند. نتایج نشان می‌دهند که غالب شدن مدل‌های جهشی با برد متغیر(VRH) وتئوری نواری در مکانیسم رسانش وابسته به شرایط اعمال شده است. مشاهده شد که در فرکانس‌های پایین و درجه حرارت‌های بالا مکانیسم هدایت از نوع نواری، و در فرکانس‌های بالا و درجه حرارت‌های پایین از نوع جهشی با برد متغیر است. مقدار گاف انرژی CuPc با استفاده از اندازه‌گیری‌های dc تعیین شده است.
