پژوهش های نوین فیزیک

---

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک‌نواخت به اتم­های دو جای‌گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می‌پردازیم. محاسبات به‌کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می‌دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی‌که در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده می­شود که مقدار آن به اندازۀ نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسۀ نتایج به‌دست آمده با پژوهش‌های قبلی، می­توان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیداً به‌نحوۀ اتصال الکترودها و کیفیت اتصال­ها وابسته است.

---

در این تحقیق با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به مطالعه‏ی ترابرد الکترونی یک سامانه ی چند مولکولی فتالوسیانین مس متصل دو هادی فلزی پرداخته شده است. نتایج نشان می دهد که در گاف های این سامانه چگالی حالت های الکترونی مستقل از تعداد مولکول ها یا طول سامانه رفتار می‏کند. همچنین افزایش طول سامانه علاوه بر کاهش رسانش تونل زنی، باعث ظهور دره ها و قله هایی در گاف های طیف رسانش می شود و بسته به مقدار انرژی الکترون ورودی به خصوص در لبه ی گاف ها، تونل زنی الکترونی راحت تر صورت می گیرد.