محمداسماعیل عظیم عراقی، انسیه خلیلی درمنی،
دوره 13، شماره 2 - ( ریاضی-انگلیسی Mathematics 1392 )
چکیده
در این تحقیق لایه‌های سیلیسیوم نانومتخلخل با درصد تخلخل‌های مختلف با استفاده از روش آنودیزاسیون الکتروشیمیایی تهیه شدند. مورفولوژی سطوح و اندازه حفره‌ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری بررسی شد. لایه‌های دی‌اکسید تیتانیوم به‌روش تبخیر با پرتو تفنگ الکترونی بر روی سیلسیوم متخلخل لایه نشانی شدند. اثر شرایط آنودیزاسیون مانند زمان آنودی‌سازی و چگالی جریان بر مورفولوژی و خواص الکتریکی قطعات با اندازه‌گیری ولتاژ- جریان بررسی شد. نتایج نشان داد که خواص الکتریکی تحت تاثبر چگالی جریان و زمان آنودی سازی قرار می‌گیرد. هم‌چنین رسانندگی Ac قطعات ساندویچی Al/TiO2/PSi/Al را در محدودۀ فرکانسی 102تا 105هرتز و محدودۀ دمایی300 تا 378 کلوین بررسی کردیم. در محدودۀ فرکانسی کم‌تر از 103 هرتز نظریه نواری و در محدوده فرکانسی بزرگ‌تر از 103 هرتز مکانیزم هوپینگ در توضیح رسانندگی نانو ساختارهای لایه نازک TiO2/Psi با الکترودهای آلومینیوم کاربرد دارد.
