1- هیات علمی دانشگاه شهرکرد
2- دانشجوی ارشد دانشگاه شهرکرد
چکیده: (7846 مشاهده)
در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یکنواخت به اتمهای دو جایگاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن میپردازیم. محاسبات بهکمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام میشود. بررسی منحنیهای رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان میدهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالیکه در مورد دسته صندلی همواره یک گاف حول انرژی فرمی مشاهده میشود که مقدار آن به اندازۀ نانونوار بستگی دارد. در پایان از مقایسۀ نتایج بهدست آمده با پژوهشهای قبلی، میتوان نتیجه گرفت که رفتار رسانش الکترونی نانونوارهای گرافنی شدیداً بهنحوۀ اتصال الکترودها و کیفیت اتصالها وابسته است.
نوع مطالعه:
علمی پژوهشی بنیادی |
انتشار: 1392/8/24